מספר מוצר של יצרן:
IPP26CNE8N G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP26CNE8N G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 85V 35A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 85 V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12803435
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP26CNE8N G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
85 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 39µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2070 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
71W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP26C
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000096472
IPP26CNE8NGX
IPP26CNE8N G-DG
IPP26CNE8NGXK
IPP26CNE8NG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF3710ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1894
DiGi מספר חלק
IRF3710ZPBF-DG
מחיר ליחידה
0.60
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP60NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
980
DiGi מספר חלק
STP60NF10-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP40NF10
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
569
DiGi מספר חלק
STP40NF10-DG
מחיר ליחידה
0.95
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN017-80PS,127
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
5950
DiGi מספר חלק
PSMN017-80PS,127-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPB160N04S203ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPP50R250CPXKSA1
LOW POWER_LEGACY